Alcune note metodologiche e legali dettagliate sono attualmente disponibili in inglese.
US Treasury / OFAC
RZHANOV INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS SIBERIAN BRANCH OF RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES
Organizzazione · ofac-39186
US · SDN
Listed in source snapshotDati al: 21 ott 2026
- Indirizzi secondo la fonte
- 13 Lavrentiev Aven., Novosibirsk, 630090, Russia
Sanctions programmes
RUSSIA-EO14024
Fonte: US Treasury / OFAC ↗Names and aliases (4)
- RZHANOV INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS SB RAS
- ISP SB RAS
- Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
- Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS
Storia giuridica
Creazione del registro OFAC
Fonte ↗
Basi giuridiche del registro attuale
- Executive Order 14024 (Russia)
Sono mostrati solo gli eventi dell’esportazione attuale; non è una cronologia completa di modifiche o revoche.
Le date OFAC riguardano il registro fonte, non necessariamente l’inizio di ogni base giuridica.
Collegamenti documentati
Il registro fonte importato non riporta collegamenti strutturati.
Fonti e metodologia ↗