Niektóre szczegółowe uwagi metodologiczne i prawne są na razie dostępne po angielsku.
US Treasury / OFAC
RZHANOV INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS SIBERIAN BRANCH OF RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES
Organizacja · ofac-39186
US · SDN
Listed in source snapshotDane do: 21 paź 2026
- Adresy według źródła
- 13 Lavrentiev Aven., Novosibirsk, 630090, Russia
Sanctions programmes
RUSSIA-EO14024
Źródło: US Treasury / OFAC ↗Names and aliases (4)
- RZHANOV INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS SB RAS
- ISP SB RAS
- Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
- Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS
Historia prawna
Utworzenie rekordu OFAC
Źródło ↗
Podstawy prawne w bieżącym rekordzie
- Executive Order 14024 (Russia)
Pokazano tylko zdarzenia z bieżącego eksportu; nie jest to pełna historia zmian i uchyleń.
Daty OFAC dotyczą rekordu źródłowego, a niekoniecznie początku każdej podstawy prawnej.
Udokumentowane powiązania
Zaimportowany rekord źródłowy nie podaje powiązań strukturalnych.
Źródła i metodologia ↗