Certaines notes méthodologiques et juridiques détaillées sont actuellement disponibles en anglais.
US Treasury / OFAC
RZHANOV INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS SIBERIAN BRANCH OF RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES
Organisation · ofac-39186
US · SDN
Listed in source snapshotDonnées au: 21 oct. 2026
- Adresses selon la source
- 13 Lavrentiev Aven., Novosibirsk, 630090, Russia
Sanctions programmes
RUSSIA-EO14024
Source: US Treasury / OFAC ↗Names and aliases (4)
- RZHANOV INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS SB RAS
- ISP SB RAS
- Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
- Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS
Historique juridique
Création du registre OFAC
Source ↗
Bases juridiques du registre actuel
- Executive Order 14024 (Russia)
Seuls les événements de l’export actuel sont affichés ; ce n’est pas un historique complet des modifications ou retraits.
Les dates OFAC concernent le registre source, pas nécessairement la prise d’effet de chaque base juridique.
Liens documentés
Le registre source importé ne fournit aucun lien structuré.
Sources et méthode ↗